¡Una Tercera!
Procesador PowerPC
En nuestra tercera tecno-tapa, describiremos el funcionamiento de los transistores MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Efect Transistor) base de la tecnología CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) con la que se fabrican la mayoría de los micro-procesadores actuales.
Igual que hemos descrito en el transistor BJT la conducción se produce entre dos zonas dopadas tipo N separadas por una zona tipo P.
Como en los BJT también existe el transistor complementario, es decir dos zonas tipo P separadas por una tipo N y en el que la conducción se producirá igual, pero cambiando las polaridad de las tensiones.
La estructura de un transistor MOSFET se muestra en la siguiente figura:
Estructura transistor MOSFET. Fuente Wikipedia
En la anterior figura se observan las dos zonas grises (etiquetadas como D y S) que serán de tipo N o P, y la zona marrón (etiquetada como B) que será del semiconductor complementario, se observa también una zona blanca que será aislante con lo que se forma un condensador entre el terminal etiquetado como G y el sustrato (B).
Las etiquetas responden a los nombres de Drenador (D, o lo que en el transistor bipolar sería el colector), Surtidor (S, o lo que en el transistor bipolar sería el emisor), G (Gate, puerta, o lo que en el transistor bipolar hacia las veces de base), B (Bulk, o sustrato, que será conectado normalmente a masa, para evitar polarizaciones parásitas).
En los MOSFET la conducción, o la inversión de población en la zona de carga espacial (que se describió en la tecno-tapa correspodiente de la unión P-N), se produce mediante la tensión aplicada al condensador que se forma en la zona de la puerta. Así, aplicando tensión en el terminal de puerta tendremos que se va eliminando la zona de carga espacial, permitiendose la conducción entre el Drenador y el Surtidor.
Al estar controlado por tensión la primera ventaja de estos transistores es que, durante la conducción, no hay consumo por el terminal de control, es decir, la puerta solo consume energía en las conmutaciones, la necesaria para cargar y descargar el condensador de puerta, al contrario que en el BJT que había una pequeña corriente de base siempre activa.
Otra de las ventajas es la facilidad en la fabricación y la capacidad de integración que se consigue con esta tecnología.
En la tecnología CMOS, se fabrican sobre la misma oblea los dos tipos de MOSFET necesarios para fabricar y poder construir las puertas lógicas necesarias en la fabricación de los integrados, como el Inversor que se muestra en la siguiente figura:
Esquema del Inversor. Fuente Wikipedia
El circuito anterior funciona de la siguiente manera:
Supongamos que tenemos una tensión positiva aplicada en Vdd con respecto a Vss que estará conectada a masa (0V), si aplicamos una tensión positiva en A, tendremos que el transistor MOSFET de canal N (que es el representado abajo en la figura) estará en modo conducción, mientras que el canal P (que es el representado arriba en la figura, con un circulito en la puerta) estará en corte, con lo que Q, verá que está conectado a la tensión Vss a través del transistor inferior, reflejando una tensión de oV a la salida, si aplicamos oV en el terminal A, tendremos a los transistores de manera contraria, es decir, conducirá el de arriba, mientras que el de abajo estará en corte, con lo que Q estará conectado a la tensión positiva de Vdd. Así tendremos en Q la tensión contraria a la aplicada en A, como corresponde a un buen INVERSOR ;-).
A continuación me gustaría explicar un poco los distintos procesos que se utilizan para fabricar dicho inversor en una oblea de silicio, no sin antes invitaros a visitar la siguiente entrada en Naukas, escrita por @jeibros, que explica los procesos de fabricación de un circuito integrado, aquí lo haré de una manera más esquemática.
Proceso de fabricación de un inversor. Fuente Wikipedia
1º paso: Se hace crecer una capa de óxido que será el que forme el aislante para el condensador de la puerta, sobre un sustrato de tipo P. (por defecto todos los transistores serán de canal N)
2º paso: Se ataca el óxido para dejar una zona libre donde se realizará un pozo tipo N sobre el sustrato P, donde se construirán los MOSFET de canal P.
3º paso: Se dopa el silicio con impurezas tipo N para tener preparado una zona para los transistores de canal P.
4º paso: Se ataca el óxido para dejar acceso a las zonas donde se construiran los terminales de Drenador y Surtidor.
5º paso: se hace crecer una capa fina de óxido que formará el condensador de puerta.
6º paso: Se deposita una capa de polisilicio, material que es muy conductor que nos servirá de punto de acceso al condensador de puerta.
7º paso: Se ataca el polisilicio y el óxido para dejar acceso a las zonas de drenador y surtidor.
8º paso: Se dopa el silicio con impurezas tipo N en la zona del sustrato general, para formar los MOSFET de canal N, e impurezas de tipo P en el pozo de tipo N para formar los MOSFET de canal P.
9º paso: se hace crecer una capa de aislante en toda la oblea, que nos servirá para definir después la conexiones metálicas.
10º paso: Se ataca el aislante para dejar acceso a los puntos donde se quieren hacer conexiones metálicas.
11º paso: Se deposita una capa metálica que formará las conexiones a los terminales.
12º paso: Se ataca la capa metálica para separar los distintos terminales, que después tendremos que conectar de la manera deseada. En el caso del inversor, solo quedará unir las dos puertas para formar el terminal A.
Me parece que como tapa ha quedado demasiado larga, así que dejaremos la descripción de uno de los problemas de esta tecnología para la siguiente tapa ;-).
Actualización 29 de Mayo de 2013:
Os dejo un vídeo donde explican el funcionamiento del transistor MOSFET y el límite que encuentra la ley de Moore debido al efecto túnel cuántico, espero que sea de vuestro interés:
Actualización 19 de Julio de 2013:
Os dejo un vídeo donde se explica de manera muy graciosa el funcionamiento del transitor MOSFET, con subtítulos en castellano:
Meditaciones Dactilares 